檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "陳炤彰".ccommittee (精準) and year="108"
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在現今半導體晶片製程中，為了增加效能採用多層的電路設計，使得各層電路之平坦化製程相對重要，因此在半導體製程中化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CM…
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電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求，因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件，然而單晶碳化矽具有…
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鉭酸鋰(Lithium Tantalate, LT)是一種鐵電(Ferroelectric)晶體，具有獨特優異的焦電(Pyroelectric)、壓電(Piezoelectricity)和電光(El…
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本研究旨為在玻璃基板上製作出雙面階層陽極氧化鋁結構嵌件，利用階層陽極氧化鋁奈米孔洞結構使其一表面具有超親水性，另一表面作為嵌件射出成形製程使玻璃與聚碳酸酯(PC)鏡片異質結合之介質，製作出具有超親水…
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在現今半導體工業的製程中晶片的平坦化是必經的過程，而晶錠的切片技術是決定晶片平坦化質量的第一步。如今，固定鑽石線切割（DWS）被普遍應用於晶錠的切片製程。而鑽石線材的切割效率取決於晶錠的材料屬性、冷…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)擁有高崩潰電壓、寬能隙及高熱傳導率之材料特性，因此像是電動車等高功率元件市場上有較大的需求，然而單晶碳化矽晶圓具有高硬度與高抗化學之材料性質…